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IBM DESENVOLVE MEMÓRIA 100 VEZES MAIS RÁPIDA QUE A FLASH

Faz tempo que cientistas vêm procurando uma memória não volátil e com performance superior à da memória Flash. Agora, ao que tudo indica, a grande candidata ao cargo será a Phase-Change Memory (PCM), desenvolvida nos laboratórios da IBM.

De acordo com o press release divulgado pela empresa, a nova memória é capaz de ler e escrever dados a uma velocidade 100 vezes maior do que a Flash, além de possibilitar uma capacidade mais alta de armazenamento de dados e de não perder informações quando o computador é desligado.

Como se não bastasse, a PCM também tem uma vida útil mais alta, permitindo até 100 milhões de ciclos de escrita. Chega a ser impressionante, ainda mais se levarmos em conta que a memória Flash aguenta de 3 a 30 mil desses ciclos.

Os avanços foram obtidos graças à solução de alguns problemas na arquitetura das memórias atuais, como a utilização de uma liga metálica capaz de alterar o seu estado físico, passando de um estado cristalino de baixa resistência para uma fase amorfa de alta resistência, de acordo com a voltagem aplicada sobre ela. Os pesquisadores também conseguiram solucionar os problemas que essa troca de estados pode causar, diminuído assim a possibilidade de obter erros de leitura.

SAMSUNG INICIA PRODUÇÃO DE CHIPS DE MEMÓRIAS DDR3 SO-DIMM DE 8 GB

A Samsung responde à demanda dos notebooks por mais memória RAM com o anúncio de que começará a produção em massa de chips de memória DDR3 SO-DIMM com capacidade de 8 GB.

Esses novos módulos de memória serão fabricados em 40 nm e trabalharão a 1.333 MHz com 1,5 V. A Dell é o primeiro fabricante a adotar os módulos DDR3 SO-DIMM de 8 GB da Samsung em seu notebook Precision M4500, que pode ser configurado para ter até 32 GB.

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